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Samsung ha iniziato a produrre le memorie eUFS 3.0: super veloci e capienti fino a 1 TB

Gli smartphone in arrivo nei prossimi mesi avranno memorie veloci e capienti, con prestazioni mai viste prima. Queste sono le promesse delle nuove memorie eUFS 3.0 (embedded Universal Flash Storage) prodotte da Samsung Electronics, che si preparano ad essere utilizzate dai produttori sugli smartphone del futuro.

Come annunciato qualche mese fa, la divisione dell’azienda coreana dedicata all’elettronica ha già avviato la produzione di massa dei nuovi modelli da 128 GB e 512 GB basati sull’architettura eUFS 3.0, quelli che utilizzano le altrettanto nuove matrici V-NAND a 512 Gb di quinta generazione.

Le velocità di trasferimento dati di queste nuove memorie raggiungono i 2.100 MB/s in lettura sequenziale e i 410 MB/s per quanto riguarda la scrittura sequenziale. Cifre molto promettenti: stiamo parlando del doppio della velocità rispetto alla precedente generazione eUFS 2.1 e di addirittura 20 volte la velocità di una microSD standard.

Prestazioni di così alto livello possono portare grandi vantaggi per le applicazioni pratiche che interessano l’utenza smartphone, migliorando la gestione dei contenuti multimediali e permettendo la registrazione video di filmati ad altissima definitizione ed elevatissimo framerate.

LEGGI ANCHE: Il nuovo standard UFS 3.0

Come detto, Samsung ha già messo in produzione i modelli da 128 GB e 512 GB, ma entro la fine dell’anno dovrebbero arrivare anche quelli da 256 GB e 1 TB. Per maggiori dettagli tecnici sulla tecnologia eUFS 3.0 e sulle varie generazioni di memorie Samsung, potete analizzare la tabella che alleghiamo di seguito.

Storage Memory Sequential
Read Speed
Sequential
Write Speed
Random
Read Speed
Random
Write Speed
512GB eUFS 3.0
(Feb. 2019)
2100MB/s
(x2.10)
410MB/s
(x1.58)
63,000 IOPS
(x1.09)
68,000 IOPS
(x1.36)
1TB eUFS 2.1
(Jan. 2019)
1000MB/s 260MB/s 58,000 IOPS 50,000 IOPS
512GB eUFS 2.1
(Nov. 2017)
860MB/s 255MB/s 42,000 IOPS 40,000 IOPS
eUFS 2.1 for automotive
(Sep. 2017)
850MB/s 150MB/s 45,000 IOPS 32,000 IOPS
256GB UFS Card
(Jul. 2016)
530MB/s 170MB/s 40,000 IOPS 35,000 IOPS
256GB eUFS 2.0
(Feb. 2016)
850MB/s 260MB/s 45,000 IOPS 40,000 IOPS
128GB eUFS 2.0
(Jan. 2015)
350MB/s 150MB/s 19,000 IOPS 14,000 IOPS
eMMC 5.1 250MB/s 125MB/s 11,000 IOPS 13,000 IOPS
eMMC 5.0 250MB/s  90MB/s  7,000 IOPS 13,000 IOPS
eMMC 4.5 140MB/s  50MB/s  7,000 IOPS  2,000 IOPS

Source: MobileWorld – Samsung ha iniziato a produrre le memorie eUFS 3.0: super veloci e capienti fino a 1 TB

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